Strona: Analizy chemiczne / Laboratorium Międzyuczelniane

Parametry urządzenia:
• dwa źródła promieniowania: lampa wolframowa na zakres 27.000÷2.000 cm-1 oraz źródło ceramiczne na zakres 9.600÷20 cm-1
• źródło ceramiczne o maksymalnej temp. pracy 1.577K, nie wymagające chłodzenia wodą
• zdolność rozdzielcza lepsza niż 0,09 cm-1 (pomiar szerokości połówkowej pasma CO)
• szybkość skanowania regulowana w zakresie min. 0.16÷6.2cm/s

Przeznaczenie i zastosowanie:
Jest to uniwersalny zestaw przeznaczony do pomiarów spektroskopowych z transformacją Fouriera próbek stałych i ciekłych w zakresie podczerwieni (12 000 – 350cm-1). Aparat wyposażony jest w laser ciągły Nd+3:YAG ze wzbudzaniem przy 1064nm i detektor germanowy chłodzony ciekłym azotem. Dodatkowe wyposażenie jakim jest mikroskop podczerwieni umożliwia szybkie tworzenie map związków na powierzchni.

Parametry urządzenia:
• detektor: pozwala na jednoczesne oznaczanie pierwiastków na poziomie śladowym (ppt) i wysokich stężeń (kilkaset ppm).
• granice wykrywalności (3σ) w ng/L (ppt), nie gorsze niż:
- 9Be≤0.1 (bez gazu w komorze)
- 115In≤0.05 (bez gazu w komorze)
- 78Se≤1 (w trybie MS/MS)
- 238U ≤0.05 (bez gazu w komorze)
- 75As ≤20 ( z helem w komorze)

Przeznaczenie i zastosowanie:
Zestaw ten tworzą spektrometr mas z jonizacją w plazmie indukcyjnej sprzężonej (ICP-MS) z przystawką do ablacji laserowej oraz chromatografem cieczowym. Ten unikalny układ potrójnego kwadrupola umożliwia uzyskanie najlepszych granic wykrywalności i oznaczalności w analizie próbek o różnym składzie: od materiałów półprzewodnikowych i odczynników, po materiał biologiczny i kliniczny, próbki środowiskowe oraz skomplikowane matryce.

Parametry urządzenia:
• wiązka wzbudzająca: 325nm, 532nm, 785nm i 1064nm
• rozmiar plamki lasera 1÷300μm
• wyposażony w podwójny tor detekcyjny z jednostopniowym przejściem wiązki, o ogniskowej max. 250mm
• płynna regulacja plamki lasera
• wyposażony w dielektryczny filtr krawędziowy Rayleigh

Przeznaczenie i zastosowanie:
Mikroskop sił atomowych inVia Refleks firmy Renishaw pozwala na wykonywanie pomiarów konfokalnych o dużej rozdzielczości. Spektrometr ramanowski wyposażony jest w 4 lasery wzbudzające w zakresie od ultrafioletu po podczerwień, ponadto posiada rozbudowany system pomiaru i obrazowania/mapowania ramanowskiego: punktowy, liniowy, szybkiego obrazowania typu streamline oraz punktowego. Spektrometr umożliwia identyfikację związków organicznych i nieorganicznych, identyfikację faz, analizę ciał stałych jak i cieczy, również w opakowaniach

Parametry urządzenia:
• zakres spektralny: co najmniej 166nm÷800nm

Przeznaczenie i zastosowanie:
Spektrometr emisyjny ze wzbudzaniem plazmowym typu ICP OES z systemem optyki typu Echelle i z detektorem półprzewodnikowym. Spektrometr wyposażony jest w podwójny system obserwacji: osiowy oraz radialny. System osiowy zapewnia niskie granice wykrywalności natomiast radialny służy do oznaczania pierwiastków o niskich potencjałach wzbudzenia w szerokim zakresie stężeń.

Parametry urządzenia:
• lampa rentgenowska z anodą rodową (Rh)
• moc lampy: 4kW

Przeznaczenie i zastosowanie:
Spektrometr rentgenowski służy do analizy jakościowej i ilościowej składu chemicznego różnego typu materiałów w zakresie od B do U. Dodatkowo analizator wyposażony jest w 3 kolimatory do analizy B, C i N. Aparat ten wykorzystuje rentgenowską analizę fluorescencyjną z dyspersją długości fali (WDXRF), posiada zmieniarkę prób obsługującą 200 próbek oraz certyfikowany zestaw wzorców.

Parametry urządzenia:
• wydajność działa elektronowego w trybie klastra: 200eV÷4keV
• napięcie przyspieszające działa elektronowego w trybie klastra 2keV÷8keV
• rozdzielczość powierzchniowa co najmniej 30µm
• kąt akceptacji większy niż 60°
Przeznaczenie i zastosowanie:
Za pomocą spektrometru XPS możliwa jest analiza ilościowa oraz detekcja wszystkich pierwiastków z czułością 0.1÷1%at. (za wyjątkiem wodoru) oraz wyznaczanie wiązań chemicznych pierwiastków obecnych na powierzchni. Za pomocą spektroskopu możliwe jest skanowanie małego obszaru, skan liniowy, tworzenie map chemicznych i profilowanie głębokościowe zarówno przewodników jak i izolatorów.